미 바이든 행정부는 16일(현지 시각) 텍사스 중부에 반도체 생산 시설을 투자하는 삼성전자에 최대 64억 달러(약 8조 9529억원) 보조금을 지급할 것이라고 밝혔다.

이날 로이터 통신에 따르면 미 상무부는 이날 보도자료를 통해 "상무부와 삼성전자가 미국 반도체 공급망의 복원력을 강화하고 미국의 기술 리더십을 발전시키며 미국의 글로벌 경쟁력을 강화하기 위한 반도체법에 따라 최대 64억 달러의 직접 자금을 지원하는, 예비거래각서(PMT)에 서명했다"고 말했다.

지나 라이몬도 상무부 장관은 기자들에게 삼성이 텍사스 오스틴의 반도체 시설을 확장하는 동시에 항공 우주, 방위 및 자동차 산업을 위한 칩 생산량을 늘리고 국가 안보를 강화할 수 있을 것이라고 말했다.

라이몬도 장관은 "(이러한 투자를 통해) 미국이 현재 선도하고 있는 반도체 설계뿐만 아니라 제조, 첨단 패키징, 연구 개발 분야에서도 다시 한 번 세계를 선도할 수 있을 것"이라고 설명했다.

경계현 삼성전자 공동대표는 "AI 칩과 같은 미래 제품에 대한 미국 고객의 예상되는 수요 급증에 대응하기 위해 우리 팹은 최첨단 공정 기술을 갖추고 미국 반도체 공급망에 보안을 제공하는 데 도움이 될 것이다"라고 말했다.

삼성은 2026년에 생산을 시작할 것으로 예상한다고 밝혔다.

분석가들은 삼성이 파일럿 생산 라인에서 4나노미터 칩을 생산하기 시작하고 결국 2나노미터 칩으로 확장할 것으로 예상했다.

반도체 산업 협회 (SIA)는 전 세계 반도체 제조 능력에서 미국의 점유율이 1990년 37%에서 2020년 12%로 감소함에 따라 중국과 대만에 대한 의존도를 줄이는 것이 목표로 하고 있다.

삼성은 10년 간 텍사스 시설 건설 및 확장에 약 450억 달러를 투자할 것으로 예상된다고 행정부 고위 관리들은 말했다.

SIA는 성명에서 "우리는 미국에 기반을 둔 제조업에 과감하게 투자한 삼성에 박수를 보내며, 칩스법의 제조 인센티브 및 R&D 프로그램을 시행하는 데 상당한 진전을 이룬 미국 상무부에 경의를 표한다"라고 말했다.

인텔은 지난달 85억 달러의 보조금을 받았고, 대만의 TSMC는 4월에 미국 내 생산을 확대하기 위해 66억 달러를 확보했다.