국내 반도체 생산 기업 SK키파운드리가 ‘질화 갈륨(GaN)’ 소재의 차세대 전력반도체 개발에 박차를 가한다.

SK키파운드리는 올해 안으로 고효율 전력반도체 개발을 완료할 계획이라고 19일 밝혔다.

질화 갈륨은 높은 전기 전도율과 낮은 손실율 등의 특징을 가져 반도체 성능의 혁신을 가져올 수 있는 차세대 전력반도체 후보 소재로 꼽힌다.

특히 질화 갈륨으로 트랜지스터(HEMT)를 제작할 경우 전력 효율이 높아 방열 기구 비용을 감소시켜 경제적인 효과도 가진다.

이에 SK키파운드리는 지난 2022년부터 개발팀을 구성해 GaN 반도체 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V 규격의 고전자 HEMT를 만들 수 있는 소자를 확보했다.

새로 개발된 제품은 대량 생산 전까지 초기 구축 비용이 많이 든다는 문제가 존재하지만, SK키파운드리는 앞선 방열 기구 비용 감소를 통해 최종적으로는 시스템 가격의 차이가 없다고 전했다.

SK키파운드리의 판도체 웨이퍼 공정 [SK키파운드리 제공]

아울러 GaN 전력반도체를 통해 고속 충전 어댑터와 LED 조명, 데이터센터 등에 적용될 프리미엄 제품 개발이 촉진될 것으로 기대했다.

향후 SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 기존 전력반도체 공정을 사용하는 고객에 대한 프로모션 사업을 추진할 계획이다.

한편 시장조사기관 옴디아는 GaN 전력반도체 시장이 지난해 6800억 원 규모에서 2032년에는 약 8조 7000억 원 수준까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망했다.

SK키파운드리 이동재 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체가 준비 중이다"라고 말했다.

이어 "GaN뿐만 아니라 향후 실리콘카바이드(SiC)까지 전력반도체 라인업을 넓혀 차세대 반도체 전문 파운드리로 자리매김할 것"이라는 포부를 밝혔다.