|2026.03.03 (월)

재경일보

삼성, V낸드 부문 경쟁력 앞서지만.. 기술 추격전 버틸 수 있을까?

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D램익스체인지 "삼성 V낸드는 성능 대비 비용 경쟁력 있어"

D램과 더불어 메모리 반도체의 양대산맥인 낸드플래시(NAND Flash) 가격이 하락세를 보이면서 공급 과잉 우려를 낳고 있다.

8일 반도체 전자상거래사이트 D램익스체인지와 반도체 업계에 따르면 8월 하반월의 낸드플래시 칩 가격은 직전 반월보다 6~7% 하락했다. 반도체 가격은 반월 기준으로 따진다. 이는 최근 3개월 새 가장 큰 폭의 내림세다.

D램익스체인지는 공급 측면에서 플래시 메모리를 수직으로 적층하는 3D(3차원) 낸드 기술이 발전하면서 내년 낸드플래시의 비트 성장률(bit growth)이 올해보다 47% 증가할 것으로 내다봤다.

비트 성장률은 여러 종류의 메모리 제품을 데이터의 기본 단위인 비트(bit)로 환산한 출하량 개념이다.

D램익스체인지는 내년 1분기까지 낸드플래시 시장이 공급 과잉 상태에 있을 것으로 점쳤다. 예상보다 총체적인 수요가 약한데다 공급업체들은 공격적으로 가격 인하에 나설 것으로 전망하기도 했다.

올해 2분기부터 SSD(솔리드 스테이트 드라이브), eMMC(embedded Multi-Media Card), eMCP(embedded Multi Chip Package) 등이 15나노[187790] 또는 16나노 양산단계에 들어간 것도 공급 과잉에 영향을 줬다.

낸드플래시는 D램과 달리 전원을 꺼도 정보가 계속 저장돼 스마트폰 등 모바일 기기와 디지털카메라, 노트북 SSD 등에 두루 쓰인다.

eMMC 등은 스마트폰 등 모바일 기기에 탑재되는 내장 스토리지를 말한다.

2014년 기준으로 메모리 반도체 시장 구조는 D램 462억달러, 낸드플래시 391억달러로 D램이 더 많지만 격차가 점점 좁혀지고 있어 머지않아 낸드플래시가 역전할 것으로 예상된다.

낸드플래시 가운데 칩을 수직으로 적층해서 쌓는 V낸드 부문에서는 삼성의 경쟁력이 경쟁사들보다 앞선 것으로 평가된다.

D램익스체인지는 최신 보고서에서 "삼성의 3D 낸드플래시는 성능 대비 비용 경쟁력에서 이점이 있기 때문에 여러 클라이언트로부터 상당한 주문을 확보할 수 있다"고 평가했다.

삼성은 낸드플래시 시장에서 30% 안팎의 점유율로 2위인 도시바를 10%포인트 정도 앞서 있고 주력제품인 SSD 점유율에서는 인텔을 더블스코어 차이로 압도하고 있다.

하지만 공급 과잉 우려와 함께 경쟁사들의 추격이 거세 삼성이 마냥 마음 놓을 수 있는 상황이 아닌 것으로 지적된다.

D램익스체인지는 올해 4분기에는 낸드플래시 공급업체들의 10나노대 양산 비중이 80%에 달할 것으로 예상했다.

그동안 삼성만이 낸드플래시 전 제품을 수직 적층 또는 10나노대 공정으로 생산해왔다.

하지만 도시바, 인텔, 마이크론 등이 20나노 초반대에서 10나노대로 미세공정을 빠르게 전환하면서 맹렬한 기술 추격전을 벌이고 있다. 반도체 미세공정은 D램이든 낸드플래시든 나노미터(nm)의 수가 낮을 수록 기술 경쟁력이 강화되는 것이다.

인텔과 마이크론은 초고밀도 3D 낸드플래시 칩을 공동 개발 중이고 도시바는 기억소자를 48단으로 쌓은 초적층 낸드플래시를 내놓은 바 있다.

 

 

 

 

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